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(CN → US)
| HS Code | Official Doc | Tariff Rate | Origin | Destination | Effective Date |
|---|---|---|---|---|---|
| 8541410000 | Doc | 45.0% | CN | US | 2025-05-12 |
| 8541410000 | Doc | 45.0% | CN | US | 2025-05-12 |
| 9031499000 | Doc | 55.0% | CN | US | 2025-05-12 |
| 9031905900 | Doc | 55.0% | CN | US | 2025-05-12 |
| 9025805000 | Doc | 39.1% | CN | US | 2025-05-12 |
光敏电阻
光敏电阻 (LDR - Light Dependent Resistor) 是一种电阻值会随光照强度变化而变化的半导体器件。它属于光电转换元件，广泛应用于光控电路和光检测场合。
材料:
- 硫化镉 (CdS): 最常见的材料，成本低廉，灵敏度较高，但响应速度较慢。
- 硒化镉 (CdSe): 响应速度比硫化镉快，但灵敏度较低，且毒性较大。
- 砷化镓 (GaAs): 响应速度快，灵敏度高，但成本较高，适用于高速光检测。
- 锑化铟 (InSb): 用于远红外光检测。
工作原理:
光敏电阻基于半导体的光电效应。当光照强度增加时，半导体材料吸收光子，产生更多的电子-空穴对，导致电阻值降低。反之，光照强度降低时，电阻值升高。
主要参数:
- 光谱响应范围: 光敏电阻对不同波长的光敏感程度不同，光谱响应范围决定了其适用于哪种光照。
- 暗电阻 (Rd): 在黑暗环境下的电阻值，通常较高，单位为欧姆 (Ω)。
- 光电阻 (Rl): 在特定光照强度下的电阻值，通常较低。
- 响应时间: 光敏电阻从暗状态到亮状态以及从亮状态到暗状态所需的时间。
- 最大功率: 光敏电阻能够承受的最大功率，超过该值可能导致器件损坏。
用途:
- 光控开关: 根据光照强度自动开启或关闭电路，例如路灯自动控制、夜间报警器。
- 光线强度检测: 测量光照强度，例如照度计、光度计。
- 自动调光: 根据环境光线自动调节亮度，例如自动调光灯、相机曝光控制。
- 计数器: 用于光栅计数、物体检测。
- 火焰探测: 检测火焰发出的光。
常见类型:
- CdS 光敏电阻: 最常见的类型，适用于一般光控应用。
- CdSe 光敏电阻: 响应速度较快，适用于需要快速响应的场合。
- 砷化镓光敏电阻: 适用于高速光检测和光通信。
- 封装类型: 常见的封装类型包括直插式、表面贴装式等。
使用注意事项:
- 功率限制: 避免超过光敏电阻的最大功率，以免损坏器件。
- 环境温度: 环境温度会影响光敏电阻的性能，需要考虑温度因素。
- 光照条件: 避免强光直射，以免损坏器件。
- 湿度: 高湿度环境可能影响光敏电阻的性能。
- 电路设计: 合理设计电路，确保光敏电阻工作在合适的范围内。
光敏电阻属于半导体器件，用于检测光照强度，常用于自动照明控制、计数、颜色识别等场景。
根据提供的资料，以下是相关的HS编码：
-
8541410000：半导体器件（例如，二极管、晶体管、基于半导体的换能器）；光敏半导体器件，包括是否组装成模块或制成面板的光伏电池；发光二极管（LED），无论是否与其他发光二极管（LED）组装在一起；安装的压电晶体；其零件：光敏半导体器件，包括是否组装成模块或制成面板的光伏电池；发光二极管（LED）：发光二极管（LED）。
- 85：电气设备及其零件
- 41：半导体器件及其光电器件
- 410000：半导体器件，包括光敏半导体器件和发光二极管（LED）。
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8541410000： (重复，与上相同) 半导体器件（例如，二极管、晶体管、基于半导体的换能器）；光敏半导体器件，包括是否组装成模块或制成面板的光伏电池；发光二极管（LED），无论是否与其他发光二极管（LED）组装在一起；安装的压电晶体；其零件：光敏半导体器件，包括是否组装成模块或制成面板的光伏电池；发光二极管（LED）：发光二极管（LED）。
- 85：电气设备及其零件
- 41：半导体器件及其光电器件
- 410000：半导体器件，包括光敏半导体器件和发光二极管（LED）。
根据资料，光敏电阻归类于半导体器件，适用基础关税0.0%，加征关税25.0%，2025.4.2后加征关税20.0%，总税率为45.0%。